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概要:本文介绍了NMOS与PMOS管的特性、导通条件及应用场景,重点分析了其在开关、隔离以及电平转换等电路中的实际应用方式,并通过图示说明其导通方向及等效电路。

1. MOS管的基本类型

在电路设计中主要应用的是增强型的 NMOS 管和增强型的 PMOS 管,这两种增强型 MOS 管中比较常用的是 NMOS,原因如下:

  • NMOS 的优点:导通电阻小、制造容易。
  • PMOS 的劣势:导通电阻大、价格高、替换种类少。

2. MOS管内部结构

在 MOS 管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管,称为“体二极管”。

  • 该体二极管在驱动感性负载时非常重要;
  • 体二极管只在单个分立式 MOS 管中存在,在集成电路芯片内部通常不存在。

3. NMOS 与 PMOS 的导通特性

  • NMOS 的特性
    • 适合用于源极接地的“低端驱动”;
    • 当栅极电压大于一定值(如 4V 或 10V,具体需查阅 Datasheet)时导通。
  • PMOS 的特性
    • 适合用于源极接 VCC 的“高端驱动”;
    • 当栅极电压小于一定值时导通。

尽管 PMOS 可用于高端驱动,但在实际应用中,通常还是使用 NMOS。


4. MOS管的应用场景

4.1 开关

MOS 管可以作为电子开关使用。

开关功能图示


4.2 应用实例说明

MOS隔离实例

说明:

  • G 极通过一个电阻上拉到 S 端;
  • 当控制信号 VDD_SD0_EN 有效时,G 被下拉至地;
  • Q18 导通,3V 电源通过 Q18 转为 3VSDIO。

5. 导通方向与电流路径

导通电流方向图示


6. MOS管在 I2C 电平转换中的应用

I2C 电平转换图示
等效电路图示

实际通信过程说明(Slave 向 Master 发送数据 0):

  1. 右侧 Slave 的 SDA_2 为输出,驱动为 LOW;
  2. 左侧 Master 的 SDA_1 为输入,处于高阻状态,被上拉至 3.3V;
  3. NMOS 因 VGS=0 一直关闭;
  4. 因此 SDA_1 保持为 3.3V 高电平。

问题分析:

  • 表面上看,SDA_2 为 LOW,而 SDA_1 为 HIGH,似乎通信失败;
  • 实际上,不能忽略体二极管的影响:
    • Master 端上拉至 3.3V,而 Slave 端为 0V;
    • 压降大于体二极管导通压降;
    • S 端被下拉至地,VGS > 0,NMOS 导通;
    • 最终 SDA_1 被拉低,不会维持 HIGH 电平。

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