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本文资料来源:RK3588 Hardware Design Guide-V1.6-20250910-CN.pdf

  • BGA区域,挖掉这些信号正下方的 L2 层参考层以减小焊盘电容效应。挖空尺寸 R=10mil。 alt text

  • 避免玻纤编织效应(改变走线角度 / 使用zigzag走线)

  • 差分过孔 alt text

  • 耦合电容优化 根据接口选择挖空一层或者两层地平面,如果挖空电容焊盘正下方 L2 地参考层,需要隔层参考,即 L3 层要为地参考层;如果挖空 L2 和 L3 地参考层,那么 L4 层要为地参考层。挖空尺寸需根据实际叠层通过仿真确定。 alt text alt text

  • ESD优化 挖空 ESD 焊盘正下方 L2 和 L3 地参考层, L4 层作为隔层参考层,需要为地平面。挖空尺寸需结合 ESD 型号并根据实际叠层通过仿真确定 alt text

  • 连接器优化 根据接口选择挖空一层或者两层地平面,如果挖空连接器焊盘正下方的 L2 地参考层,需隔层参考,即 L3 层要作为地参考层;如果挖空 L2 和 L3 的地参考层,那么 L4 层需要为地平面,作为隔层参考层。挖空尺寸需结合连接器型号并根据实际叠层通过仿真确定。 建议在连接器的每个地焊盘各打 2 个地通孔,且地孔要尽可能靠近焊盘。 alt text alt text

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