- FLASH
概要：本文介绍了 Flash 存储器的基本概念、与 EEPROM 的区别，以及 NOR Flash 与 NAND Flash 的结构和性能对比。通过图示和表格，清晰展示了两种 Flash 的特点、用途及适用场景。
1. Flash 概述
- Flash 属于广义的 EEPROM，因为它也是电擦除的 ROM。
- 与 EEPROM 不同，Flash 擦除时不再以字节为单位，而是以块或页为单位，速度更快。
- Flash 的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，因此大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
- Flash 有 NOR Flash 和 NAND Flash 两种类型。
2. Flash 存储结构
2.1 存储结构演变
Flash 存储单元由 EEPROM 过渡而来，核心依旧是浮栅，但省去了一个控制管。NOR 和 NAND 两种 Flash 的存储单元排列形式不同。
图片示例：
（最左侧为 EEPROM）
3. NOR Flash 与 NAND Flash 比较
3.1 NOR Flash
- 每两个单元共用一个位线接触孔和一条源线
- 优点：
- 高编程速度
- 高读取速度
- 缺点：
- 功耗大
- 接触孔占空间大，集成度不高
3.2 NAND Flash
- 单元通过多位直接串联
- 每个单元的接触孔减小到 1／2ⁿ（n 为每个模块中的位数）
- 优点：
- 单元尺寸小，集成度高
- 缺点：
- 多管串联，导致读取速度较慢
4. 特性与用途对比表
| 类型 | 特点 | 用途 |
|---|---|---|
| NOR 型 Flash | - 以块为单位进行擦除 - 和 DRAM 一样可随机存取 - 读取速度快 |
读取速度快、信赖性高，主要用于便携设备中程序的存储 |
| NAND 型 Flash | - 以页为单位进行读写，以块为单位擦除 - 有单元可存储 1bit 和 2bit 两种类型 |
集成度高，可用于大容量化，主要用于数据（如多媒体数据）的存储 |
5. NOR 与 NAND 技术对比表
| 对比项 | NOR | NAND |
|---|---|---|
| 读取速度 | 高速 | 低速 |
| 擦除与写速度 | 低速 | 高速 |
| 读取单位 | 1 bit | page |
| 写入单位 | 1 bit | page |
| 擦除单位 | block | block |
| 应用领域 | 系统程序 | 多媒体数据 |
| 高集成化适应性 | 不适合 | 适合 |
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